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PAR-HTDS-500 研究型介電溫譜儀, 將阻抗量測, 高溫控制, 量測夾具, 量測軟體, 觸控介面集於一體, 無需外接阻抗分析儀, 即可獨立完成介電量測
壓電陶瓷本身不具備壓電性, 當在陶瓷某一方向上施加外加電場時, 內部電鑄在電場力的作用下發生轉向, 當撤去外加電場後, 許多電鑄已形成統一取向, 此時壓電陶瓷便能顯示壓電效應。當電場消失後, 陶瓷會繼續保持一定極性(殘留極性)。這稱之為壓電陶瓷的人工極化
HRMS-800 高溫半導體材料四點探針量測系統應用於半導體薄膜和片狀的導電性能, 該系統採用直式排列四點探針量測原理和單晶矽物理量測法參考美國A.S.T.M標準設計研發, 可於高溫, 真空及惰性氣體條件下量測矽, 鍺單晶(棒材, 晶片)電阻率和矽磊晶層, 擴散層和離子植入層的表面電阻及導電薄膜(ITO)和其他導電薄膜的表面電阻。
HRMS-1000 高溫導電材料電阻率量測系統主要用於導電材料導電性的的測試, 該系統採用四線電阻法量測原理設計開發, 可以在高溫, 真空, 氣體的條件下量測導電材料和電阻率, 可以分析待測物的電阻和電阻率隨著溫度, 時間的變化曲線。
VDMS-2000 高溫介電溫譜量測系統用於電介質材料電性能研究, 是一套具有高溫控制, 量測夾具, 量測軟體, 觸控操作於一體的設備; 可量測介電常數和介電損耗, 阻抗譜Cole-Cole圖, 機電耦合係數Kp. 可在常溫, 高溫, 真空, 氣體條件下量測阻抗Z, 電抗X, 導納Y, 電導G, 電納B, 電感L, 介電損耗D等物理量; 同時可分析待測物隨溫度, 頻率和時間的變化曲線
HDMS-1000 高溫介電熱譜量測系統, 用於電介質材料電性能研究, 是一套具有高溫控制, 量測夾具, 量測軟體, 觸控操作於一體的設備; 可量測介電常數和介電損耗, 阻抗譜Cole-Cole圖, 機電耦合係數Kp. 可在常溫, 高溫, 真空, 氣體條件下量測阻抗Z, 電抗X, 導納Y, 電導G, 電納B, 電感L, 介電損耗D等物理量; 同時可分析待測物隨溫度, 頻率和時間的變化曲線
