半导体电性量测
HDMS-1000 高溫介電熱譜量測系統, 用於電介質材料電性能研究, 是一套具有高溫控制, 量測夾具, 量測軟體, 觸控操作於一體的設備; 可量測介電常數和介電損耗, 阻抗譜Cole-Cole圖, 機電耦合係數Kp. 可在常溫, 高溫, 真空, 氣體條件下量測阻抗Z, 電抗X, 導納Y, 電導G, 電納B, 電感L, 介電損耗D等物理量; 同時可分析待測物隨溫度, 頻率和時間的變化曲線
VDMS-2000 高溫介電溫譜量測系統用於電介質材料電性能研究, 是一套具有高溫控制, 量測夾具, 量測軟體, 觸控操作於一體的設備; 可量測介電常數和介電損耗, 阻抗譜Cole-Cole圖, 機電耦合係數Kp. 可在常溫, 高溫, 真空, 氣體條件下量測阻抗Z, 電抗X, 導納Y, 電導G, 電納B, 電感L, 介電損耗D等物理量; 同時可分析待測物隨溫度, 頻率和時間的變化曲線
該系統可用於實驗, 批量生產中對各種奈米材料, 薄膜/厚膜材料, 孔材料, 粉體/粒子材料, 塊狀材料, 半導體, 碳管, 有機物等氣敏元件材料特性進行分析。測量精度和範圍則依據所選配的量測儀表來決定。
HRMS-1000 高溫導電材料電阻率量測系統主要用於導電材料導電性的的測試, 該系統採用四線電阻法量測原理設計開發, 可以在高溫, 真空, 氣體的條件下量測導電材料和電阻率, 可以分析待測物的電阻和電阻率隨著溫度, 時間的變化曲線。
HRMS-900 高溫絕緣材料電阻率量測系統用於評估絕緣材料的電學性能, 該系統採用三環電極法設計原理並結合GB-T 10581-2006絕緣材料在高溫下電阻和電阻率測試標準設計開發的, 可以直接量測高溫, 真空, 氣體條件下樣品的電阻和體電阻率, 漏電流等隨著溫度, 時間的變化曲線
HRMS-800 高溫半導體材料四點探針量測系統應用於半導體薄膜和片狀的導電性能, 該系統採用直式排列四點探針量測原理和單晶矽物理量測法參考美國A.S.T.M標準設計研發, 可於高溫, 真空及惰性氣體條件下量測矽, 鍺單晶(棒材, 晶片)電阻率和矽磊晶層, 擴散層和離子植入層的表面電阻及導電薄膜(ITO)和其他導電薄膜的表面電阻。
壓電陶瓷本身不具備壓電性, 當在陶瓷某一方向上施加外加電場時, 內部電鑄在電場力的作用下發生轉向, 當撤去外加電場後, 許多電鑄已形成統一取向, 此時壓電陶瓷便能顯示壓電效應。當電場消失後, 陶瓷會繼續保持一定極性(殘留極性)。這稱之為壓電陶瓷的人工極化
MRVS系列真空石英封口機系統主要用於打造無氧無水真空密封保存和高溫固相合成, 整套系統由真空封口機, 氫氧機, 分子幫浦組, 石英管, 管接頭所組成, 標準化定製石英管和石英柱, 保證與特殊設計的管接頭匹配, 提升石英管封裝的密封性, 達到最高標準的真空封管。無論是熱電材料應用, 材料化學合成應用, 材料元件應用, 生物製藥應用, 材料固相合成應用皆適合
FEMS系列薄膜鐵電量測系統是基於CPS系列低溫真空探針台結合美國Rdiant/德國aixACCT鐵電分析儀設計而成, 是一款於常溫或高低溫條件下分析鐵電薄膜電學性能綜合量測系統。該系統可達到-160℃~400℃, 空氣和真空條件下量測鐵電薄膜材料的遲滯曲線(Hysteresis), 疲勞測試(Fatigue), 漏電流測試(Leakage Current)等功能, 廣泛用於各研究領域, 是鐵電薄膜材料的最佳量測系統
FTSC系列薄膜熱釋電量測系統是基於CPS系列低溫真空探針台和Keuthley 6517B高阻電表整合設計而成, 是一款常溫或高低溫條件下對於薄膜TSC的電學量測系統。該系統可以達到-160℃~400℃, 空氣和真空條件下的量測薄膜TDSC熱激勵退極化電流, TPSC熱激勵極化電流, 薄膜絕緣電阻率等量測, 是熱釋電材料的最佳量測系統
壓電陶瓷是一種人工合成的多晶壓電材料。壓電陶瓷能夠有效的把機械能比如壓力, 加速等轉換成電能, 反之也可以把電信號轉化成機械運動或震動。我們所代理的佰力博所供應的壓電陶瓷可達到-180℃~649℃全溫度領域應用, 產品尺寸多樣化, 典型的產品形狀包括圓片, 環狀片, 薄片, 柱狀等, 分為常溫, 中溫, 高溫, 超高溫等四個溫度系列, 並提供客製化服務